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邁可諾技術有限公司
主營產品： 美國Laurell勻膠機,WS1000濕法刻蝕機,Cargille光學凝膠,EDC-650顯影機,NOVASCAN紫外臭氧清洗機 |
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閱讀：147 發布時間：2020/11/11
絕緣體上硅(SOI)晶片廣泛用于MEMS微機電系統和CMOS集成電路制造。在MEMS微機電系統中，掩埋氧化物可實現具有*特性的懸浮膜。本應用中，在370-1020納米的光譜范圍內，使用紅外掃描儀FR-Scanner對4英寸的硅化硅晶片的三層厚度進行測繪。通過旋轉載物臺和在頂部線性移動光學頭(極性掃描)高速掃描測樣品，并且不彎曲反射探針。掃描時間持續不到30秒，在(R，θ)位置測了169個隨機點。圖中，隨機點上所有層的典型記錄反射光譜(黑線)和擬合反射光譜(紅線)，如在FR-Monitor監測軟件上所見，與每層的映射輪廓一起顯示。
